介电的知识精选
本文对1,2-聚丁二烯的介电松弛进行了复平面分析。终止速度常数和介电松弛频率度对比示于表5.1和表5.2中,二者都是在稀溶液中测得的。...
1、图4-2说明使用静电计确定介电吸收的基本电路。2、为了保*低泄漏电流和低介电吸收,反馈电容器应当由合适的介电材料(如聚苯乙烯、聚*烯或聚四*乙烯)制成。...
它们的压电和介电*能与合适的四方*等结构特*有关。电路板介电*能的缺陷会给寄生漏电流提供路径。从提高材料介电*能的角度,羰基铁粉的加入提高了其介电常数,但同时也导致其介电损耗的增加。本文报导了这两种复合材料的...
该致动器单元(AU)尤其可以对相邻样品室中的样品(1)施加介电电泳力,该敏感单元(SU)任选地测量所述样品的属*。...
电子陶瓷材料是材料科学当中的重要领域,在半导体材料、压电材料、铁电材料、介电材料及绝缘材料等方面都具有广泛应用。High-k介电材料其实对于业界并不是全新事物。晶体结构、反商晶格、晶体链结、声子、自由电子费密...
真空中的介电常数是。第一介电层覆盖成对的维持电极。因为水分子在微波电场下有强烈及明显的介电效应,其介电值约为电解电容依赖于充电以维持其氧化铝的介电特*。如果长时间不充电,其电介质会分解。交变电场中的介电系...
电介质强度测试者应该按照UL745-1规范。电介质强度测试者应该按照UL745-1规范。电气强度测试仪(也称为耐压测试仪,电介质强度测试仪,闪点测试器,高压测试仪)是用来测量此类电流值的测试仪。电介质强度试验是在每对导体(包...
1、不同结构介质阻挡放电的放电特*。2、以介质阻挡放电照相技术为背景,建立了介质阻挡放电的一维模型。3、高频高压脉冲电源是介质阻挡放电的核心部分。4、对共面介质阻挡放电(DBD)的放电过程进行了实验和理论研究。5...
1、研制了用于测量黏稠电介质的相对介电常数的实验装置。2、相对介电常数和介质损耗角正切是其中的两个重要的*能指标.3、数值结果表明,相对介电常数和相对磁导率相等的磁*平板具有最佳的电磁传输特*。4、经测试样品的...
这便是电脑媒介的“超人际传播”效果。许多人都被要求寻找一种方式来“推”从他们的笔记本电脑媒介,特别是从他们的电视或家庭*系统。...
问题详情:如图,K-介子衰变的方程为,其中K-介子和π-介子带负的基元电荷,π0介子不带电。一个K-介子沿垂直于磁场的方向*入匀强磁场中,其轨迹为圆弧AP,衰变后产生的π-介子的轨迹为圆弧PB,两轨迹在P点相切,它们的半径RK-与Rπ-...
1、在这种称为「电浆子狭缝形波导」的装置中,改变介电质核心的厚度即可改变电浆子的波长。2、本文简要介绍了电子陶瓷系统中绝缘体、介电质、压电体及铁电薄膜材料及其制备工艺和应用方面的一些新进展。3、借由使用高...
1、cch片式高压瓷介电容是片式电容的一种,应用广泛,需求很大.2、高压瓷介电容器按国家标准要求生产外,还可以按协议要求的电压生产3、击穿破坏电压是交流瓷介电容器最主要的技术参数,也是最难解决的技术难题。4、一百运...
本文介绍了一种新的搅拌法,应用于绝缘油介电强度的测定。在理想的状态下,真空有可能达到每1毫米10000v的介电强度。在理想的状态下,真空有可能达到每0。米的介电强度。在聚合物电老化击穿的陷阱理论中,介电强度与陷阱密度...
真空中的介电常数是。渗锡层诊断*:渗锡层的介电常数大于浮法玻璃内部的介电常数。高介电常数具有*键液体的特征.高介电常数具有*键液体的特征矩形贴片天线的重要参数是介电常数和面积。介电常数和热释电系数两者都随温...
在本文的研究中,我们以时域介电谱技术为基础,通过观察样品在某一恒定温度下对激励它的阶跃电压的响应,来求取材料的基本介电参数数据。利用微波吸收介电谱检测技术测得了还原增感立方体*化银微晶光电子衰减随增感条件的...
1、其次,讨论社区传播的媒介类别:社区平面媒介、社区电子媒介、社区网络媒介、社区活动等等。2、电子媒介当然为这些提供了更多便利。3、所谓"新媒介"是指除了传统的印刷媒介、广播和电视等电子媒介以外的电脑与网际...
问题详情: K-介子衰变的方程为其中K-介子和π-介子带负的基本电荷,π0介子不带电。一个K-介子沿垂直于磁场的方向*入匀强磁场中,其轨迹为圆弧AP,衰变后产生的π-介子的轨迹为圆弧PB,两轨迹在P点相切,它们的半径RK-与Rπ-之比为2:1,...
因此击穿电压的检测必须重视电介质击穿现象的电参数值的测量。提出了芯片门电路硅氧化层静电放电介质击穿的物理模型。通过固体电介质击穿理论的分析,提出由局部*缺陷发展逐渐导致介质击穿需要较长的发展时间。...
问题详情:K¯介子方程为K¯→π¯+π0,其中K¯介子和π¯介子带负的基元电荷,π0介子不带电。一个K¯介子沿垂直于磁场的方向*入匀强磁场中,其轨迹为圆弧AP,衰变后产生的π¯介子的轨迹为圆弧PB,两轨迹在P点相切,它们的半径R...
不含无机导电介质的抗静电纤维。导电介质中的平面电磁波在介质的分界面上也发生反*与透*。第10周静电场中的导体、电容器和导体的电容;静电场中的电介质、有介质时的高斯定理。它由一个透明的电介质隔片构成的。在开始...
1、本文建立了介电泳颗粒流动中的电场分布和焦耳热效应的理论模型。2、以行波介电泳基本原理为基础,对微纳粒子*控技术的机理与实验进行了研究。3、但是通过介电泳对组装的微纳结构进行精确控制目前仍存在比较大的困难...
而铅欠缺对介电损耗影响很小。玻璃微珠含量为40%的复合材料在X波段具有较好的介电损耗和磁损耗*能,其介电损耗角正切值和磁损耗角正切值分别可达0.30和0.10。其介电常数、磁导率基本都随测试频率的增加而下降;介电损耗...
问题详情: K-介子衰变的方程为:K-→π-+π0,其中K-介子和π-介子带负的基元电荷,π0介子不带电。一个K-介子沿垂直于磁场的方向*入匀强磁场中,其轨迹为圆弧AP,衰变后产生的π-介子的轨迹为圆弧PB,两轨迹在P点相切,它们的半径RK-与Rπ...
测量复介电常数时通常会得到一个复超越方程。其频域复介电常数可很好地拟合为两项之和。评价吸波效能的主要参数是损耗因子、复介电常数、复磁导率。采用固定腔长法,推导了计算复介电常数的计算公式。典型样品的相对微...
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