“电介质击穿”可以造什么句，电介质击穿造句

提出了芯片门电路硅氧化层静电放电介质击穿的物理模型。

因此击穿电压的检测必须重视电介质击穿现象的电参数值的测量。

通过固体电介质击穿理论的分析，提出由局部*缺陷发展逐渐导致介质击穿需要较长的发展时间。