“光刻胶”可以造什么句，光刻胶造句

再次浇上光刻胶，然后再次用紫外线光刻。

水分散型感光胶乳适用于印花工业的金属网上，作为光刻胶之用。

本发明还提供了其中感光化合物溶解于溶剂中的感光组合物，使用该感光组合物的光刻胶图案形成方法，和使用该光刻胶的器件制造方法

介绍了利用光刻胶热熔法制作微透镜阵列这种简单、实用的技术。

结果表明：采用修正后的剂量曝光，光刻胶中的能量沉积比较均匀，曝光分辨率有较大幅度的提高。

分析了用光刻胶记录激光散斑来制作粗糙度参数可控表面的方法，并成功地制作了一批样品。

通过双远心成像光路，激光直写（LDW）系统SVG-LDW04把液晶空间光调制器（LCD-SLM）上的光斑直接成像在光刻胶板上，得到高质量的光斑图形。

用光刻胶记录了水窗波段同轴X*线全息图，并以数字方法再现了原物像。

通过改变反应气体的比率或成膜输 出，可以使无机光刻胶层的氧浓度在厚度方向不同。

制造时在透明介质衬底上用光刻法形成要作孔隙结构的厚光刻胶反图案；在衬底上从上往下淀积金属膜；

该试剂用于清除匀胶后残留于硅片边缘及背面的光刻胶，已经广泛应用于中、大规模集成电路及其它半导体器件的生产。

提出了采用显微拉曼光谱检测准分子激光微加工质量的新技术，并在有机玻璃和光刻胶制成的齿轮上分别进行了探索。

提出了球面旋涂微米级厚度光刻胶膜层薄化率公式及径向位置演变公式，并得到了膜厚分布的演变公式

超净高纯试剂和紫外光刻胶作为IC生产工艺中的关键材料，随着IC生产向亚微米和深亚微米方向发展，对他们提出了新的要求。

分析了现有的精细金属网板制造工艺的优缺点，提出了采用基于SU-8光刻胶的UV-LIGA技术来制备大厚度高开孔率精细金属网板的工艺方法。

光刻胶的旋涂与烘烤，薄膜材料制备。

着重探讨了近期具有竞争力的各种远紫外光刻胶。

通过对光刻工艺过程的研究，可为较好地控制正*光刻胶面形，制作微机械、微光学器件提供了参考依据，对微浮雕结构的深刻蚀具有重要的指导意义。

常压*频冷等离子体去除光刻胶是近年新兴起的技术，已经成为*上研究的热点之一。

根据对有机引发剂条件下的光刻胶过程的分析得出了纳米级实体图

光刻胶作为一种特殊的胶黏剂，主要用于电子工业中集成电路的细微加工，是电子工业尤其是微电子工业中的必需材料。

无背板生长法是利用SU - 8光刻胶，通过低成本的UV - LIGA技术，直接在金属基板上电铸镍图形来实现的。

再次浇上光刻胶，然后再次用紫外线光刻

结果表明，光刻胶热熔技术是一种简单实用的微透镜阵列制作技术

利用SU-8光刻胶制备电铸模和微电铸工艺，制造了二维微执行器原型。

分析表明，该方法在光栅槽形的检测过程中，可以较为有效地判断光刻胶是否到底，而这一点在掩模的制作工艺中至关重要。

介绍了连续微光学元件在光刻胶上的面形控制方法。

根据部分相干光成像理论和抗蚀剂曝光显影模型，模拟计算了这种灰阶编码掩模产生的空间光强分布和光刻胶上的浮雕结构。

在微电子技术中，通过曝光并显影光刻胶除去芯片上的物质露出剩馀部分的工艺。

本发明公开了一种采用有源层图形化制备有机场效应晶体管的方法，包括：在绝缘衬底上涂敷光刻胶；