“反应离子刻蚀”可以造什么句，反应离子刻蚀造句

加速度计用普通的N型硅片制造，为了刻蚀高深宽比的结构，使用了深反应离子刻蚀（DRIE）工艺。

对于光刻胶的去除用热**泡、超声清洗、反应离子刻蚀和高温灰化法相结合，能达到较好的效果。

本文中的微执行器采用深层反应离子刻蚀技术在硅隔离衬底硅片上制作。

公司生产的300mmPrimoD-RIE系统（去耦反应离子刻蚀）基于双工作站，小批量造型集群（mini-batchcluster，mini-batch指每批生产的晶圆不超过十片）架构，为单芯片生产系统，装备甚高频去耦反应离子刻蚀源。

采用反应离子刻蚀，各向异*化学腐蚀及自限制热氧化过程在soi衬底上制备出高质量的超精细硅量子线。

给出了加速度计的制作工艺流程，研究了解决深反应离子刻蚀过程中的过刻蚀现象的方法。

通过反应离子刻蚀可以将光刻胶微透镜图形转移至这种高*能的聚合物材料上。

采用经过参数优化的DRIE刻蚀深硅槽，并用反应离子刻蚀(RIE)对深槽开口形状进行修正，制造了具有理想侧壁形状的深槽，利于介质的完全填充，避免产生空洞。

衍*光学元件的制作技术主要包括激光或电子束直写、反应离子刻蚀、离子束铣及薄膜沉积。

采用微波电子回旋共振等离子体反应离子刻蚀（E CR-R IE）装置对牦牛毛纤维进行表面改*，从而改善牦牛毛的可纺*。

我们采用旋涂、铝掩膜和氧反应离子刻蚀的方法制得了聚合物阵列式光波导器件。