高纯度的单晶硅是制做电子集成电路的基础材料。工业上制备高纯硅的化学反应原理为:①SiO2+2CSi+2CO②S...
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高纯度的单晶硅是制做电子集成电路的基础材料。工业上制备高纯硅的化学反应原理为:
①SiO2+2CSi+2CO②Si+3HClHSiCl3+H2③HSiCl3+H2Si+3X
反应①制得粗硅,通过反应②③进一步得到高纯硅;三*硅*(HSiCl3)的沸点是 31.8℃.下列有关说法不正确的是( )
A.反应③中X 的化学式为 HCl
B.三*硅*由*、硅、*三种元素组成
C.三*硅*中硅、*元素的质量比为 1:3
D.反应②③实现了硅元素的富集,将粗硅转化为高纯硅
【回答】
【分析】根据给出的转化关系对应的过程分析每个对应的问题,或者直接分析每个问题,从给出的信息中找对应的信息。
【解答】解:
A、③HSiCl3+H2Si+3X,根据质量守恒定律可知,反应③中X 的化学式为 HCl.正确;
B、三*硅*(HSiCl3)由*、硅、*三种元素组成。正确;
C、三*硅*(HSiCl3)中 1:3是硅、*元素的原子个数比而非质量比。错误;
D、反应②③实现了硅元素的富集,将粗硅转化为高纯硅。正确;
故选:C。
【点评】读信息,从中获得解答题目所需的信息,所以在解答题目时先看解答的问题是什么,然后带着问题去读给出的信息进而去寻找解答有用的信息,这样提高了信息捕捉的有效*。
知识点:各地中考
题型:选择题