“硅晶”可以造什么句，硅晶造句

结果表明：薄膜由非晶硅结构转变为微晶硅结构，微晶硅晶粒尺寸在纳米级。

为什么要选择新巨-硅晶地暖设备?。

这块蓝*平板是由多晶体硅制成的模块。导体的沟槽和多硅晶体在其表面闪闪发光。

利维表示，利用该技术制作的晶体管比目前使用的硅晶体管小1000倍。

GB/T1554-1995硅晶体完整*化学择优腐蚀检验方法

一种制造喷墨打印头的方法，包括：准备具有（110）晶面取向的单晶硅晶片作为基板；

大部分理论计算研究的是量子限制对多孔硅和纳米硅晶发光的效应。

玻璃板上的图像，然后转移到镍硅晶片，简称为“垫片”。

透*电子显微镜方法的研究显示了两种衬底上纳米硅晶粒的尺寸。

目前已经能在拇指指*大小的硅晶片上超精密地制造出相当于全世界人口数目的晶体管。

公司科研人员说，他们的非晶体硅半导体管与硅晶体半导体管电流速度一样快，但制造成本却低得多，产生的热量也大为减少。

同时研制了数控液流悬浮抛光机床，并对硅晶片等材料进行了加工试验。

电子工业用水：集成电路、硅晶片、显示管、电极管、电路管等电子元件冲洗水。

这组人员设计了一个反*和干涉系统，将激光分成两束，分别对准抛光硅晶片的两面，将两束光限制在硅当中。

这意味着释放等量电力的情况下，需要的硅晶体更少，但这也使得硅更热——与商业微处理器差不多的发热量。

它们都集中在一块直径为30厘米的圆形硅晶圆上，每一块这样的晶圆可以被做成200块各自*且完全相同的处理器。

这些纳米天线由蚀刻硅晶片制作而成，用到了制作微处理器所需的高端技术，塑料片可以塑型，能适合示汽车和任何便携式电子产品的外壳。

所以，数以千计的这类设备能够通过使用为芯片上光学通信的高带宽而设计的硅晶体管（silicon transistors）并行地进行生产。

这个新设备是一张纸牌大小的硅晶片。

硅晶片通常都是从一块较大的硅上裁剪而来，此方式浪费了大概一半的圆晶原料。

电子绕图中银*的硅晶格中的*原子的轨道。

以炭黑和二氧化硅微粉为原料，对双重加热法合成碳化硅晶须进行了研究。

这些工厂还为其他芯片铸造厂生产空白硅晶：Shin-Etsu 每月能生产约 120 万 12 英寸的晶圆。

为了简化运输和尽可能降低被污染的风险，芯片制造商利用“前开式标准晶圆盒”即所谓的FOUP来搬运晶圆。每个无尘超净的晶圆盒中可放置硅晶圆。

上周，Paniccia的团队发布了第一个完整地集成在硅晶集成电路中的光子通讯系统。

例如确保能量传递的双向硅晶体擒纵装置,以一件硅制零件取代三种功能的ulychoc避震器,既简化结构但又特别重视效率,定价76万元。

然而即使沙子是便宜的，但要从中提炼出适用于生产芯片的硅晶元来却是昂贵的——确实，可以跟制造芯片本身相提并论了。

这基本上是一个很小的坑硅蚀刻和两高硼硅晶片密封。

采用磁控共溅*法制备了含不同尺寸纳米硅晶粒的氧化硅复合薄膜。

有这种特征的硅晶表面对水是完全排斥的，在这样的硅晶表面上，水滴打上去就会象乒乓球那样反*回去。

英特尔系统的这些组件，包括激光器，都是使用和量产计算机集成电路同样的硅晶刻方式生产。

这是硅芯片——一个硅晶体的小芯片。

此图显示的就是光掩膜，上面印有将打印到硅晶片上的图案。

托盘包含用来承置至少一未封装的液晶硅晶显示面板的至少一凹槽及装设于凹槽一侧可导电的连接结构；

本文采用光电导光谱分布法和红外光*法初步研究了硅晶体中禁带宽度与应力的关系。

晶种法在硅晶片表面生成超薄膜的的一项新兴技术。