“半导体器件”可以造什么句，半导体器件造句

GB/T12560-1990半导体器件分立器件分规范(可供认*用)

图三给出了功率半导体器件的概貌。

生产功率半导体器件和铝电解电容器的制造厂

电力半导体器件及电子电容器件是电力电子技术的集中体现。

破坏*物理分析是用于检测半导体器件的

GB/T6571-1995半导体器件分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管

解释了有关熔断对整流器和功率半导体器件实现短路保护的原理。

半导体器件模拟，对于设计VLSI中的微小尺寸器件或者是新型的半导体分立器件，都已越来越显得重要。

在半导体器件制造的外延工艺中，外延生长时通常要掺入杂质

分立半导体器件和集成电路第分:光电设备测量方法

电压测量方法，电测试方法和装置，半导体器件制造方法和器件衬*造方法。

母排的分布电感是影响高压大容量变换器中半导体器件可靠运行的重要因素。

母排的分布电感是影响高压大容量变换器中半导体器件可靠运行的重要因素

高电子迁移率晶体管（HEMT）是基于异质结调制掺杂发展起来的一种高频高速半导体器件。

GB/T6590-1998半导体器件分立器件第6部分:闸流晶体管第二篇100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范

GB/T6219-1998半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管第一篇1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范

不乱*、精度高、抗干扰能力强是便携式医疗电子对半导体器件的首要要求。

简要阐述了半导体器件模拟软件在新器件开发中的应用www，对*能模拟扩展与工艺模拟集成的优势作了简述

GB/T6351-1998半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第一篇100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范

本文提出一种能在毫米波很好工作的三端半导体器件—异质结势垒控制飞的电子晶体管（简称势垒飞越晶体管）。

提出一种基于半导体器件漂移扩散模型并结合交替方向隐式时域有限差分(AD I -FDTD)法的新型全域FDTD法。

本文介绍了半导体器件中的优质多晶硅薄膜的生长以及在生长多晶硅薄膜的同时怎样来*淀积温度；

半导体器件。分立器件。第11部分：分立器件分规范。

图三给出了功率半导体器件的概貌

半导体器件。分立器件和集成电路。第8部分：场效应晶体管。

日本富士电机功率半导体器件、本日立电容器*代理。

前面几章讨论白勺许多半导体器件都可以在微波波段运行。

本发明涉及一总用于安装在印刷电路板上的半导体器件(1)。

在一个实施例中，所述半导体器件包括具有多个NFET(110)和多个PFET(112)的静态随机存取存储器(SRAM)单元。

采用样条分步法SADI与高阶紧致差分相结合的方法，计算用于半导体器件模拟的流体力学模型

该文介绍电力电子技术研究的问题、功率半导体器件、主要应用和新应用。

本文从电源的小型化出发，简要介绍几种半导体器件和电路的具体应用情况及其发展趋势，其中包括功率晶体管、低耐压MOSFET、CMOS开关稳压器及单芯片电源。

很多工程师把纳管看作硅的替代品，当今，晶体管、二极管和其他半导体器件通常都是制作在硅这种介质上。

即使载流子的方向和布线延伸方向偏离晶轴的容易分割方向，也可以容易地把一个半导体器件分割为小片

半导体器件，半导体晶片，芯片尺寸封装及制作和检测方法。

建立金属-绝缘体-半导体器件反型层子能带结构的势理论模型，并由此模型研究了金属-绝缘体-半导体器件红外探测器的工作机理及制作的关键。

本题提出的该模型及结论对基于半导体器件的高速光电转换电路设计有重要的指导意义。

GB/T6352-1998半导体器件分立器件第6部分:闸流晶体管第一篇100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范

Xerox公司的这种印刷电路技术需要在基体材料上打印三层图案，一层用于半导体器件的打印，一层用于导体的打印，剩下的一层则用于打印绝缘介质，其中银质墨水负责导体层的印刷。

半导体器件的设计和制造。

日立尖端功率半导体器件使生活更高效舒适和便利

讨论了在检测半导体器件和集成电路芯片时，不同研磨倾斜角度对扩展电阻量值的影响

GB/T4589.1-*半导体器件分立器件和集成电路总规范(可供认*用)

针对采用平面工艺的半导体器件的结构信息，通过单元排序和工艺流程生成两个步骤，生成一个可以实现输入目标要求的工艺流程。

自旋电子学在创建更高速、更节能的电路元件方面比标准半导体器件拥有更大的潜力。