“SOI”可以造什么句，SOI造句
2、Methods for preparation of SOI wafers and the physical properties of SOI wafers are examined. And the latest development of HV SOI devices and SPIC"s are summarized."
4、Improvement on SOI DTMOSFET Structure
6、Total Dose Radiation Characteristics of SOI MOSFET
8、Investigation of Special SOI Materials, Devices and SnO_2 Nanostructures;
10、Latch behavior in partially-depleted SOI (PDSOI) NMOS/CMOS
12、In order to obtain good compromise of the breakdown voltage and the specific on-resistance of SOI-LDMOS, a SOI-LDMOS with trench oxide in drift region is proposed.
14、Study on the Crosswise Multi-Gate SOI MOS and Its Application in Circuits;
16、Processors built using SOI are another are not yet in mass production.
18、基于SOI的智能功率集成电路也得到开发。
20、利用SIMOX技术和硅外延工艺制备了厚膜SOI材料。
22、The fabrication process of a compact planar waveguide etched-grating(EDG) demultiplexer based on silicon-on-insulator(SOI) is studied.
24、Coplanar transmission lines and integrated inductors are fabricated on different SOI substrates with standard CMOS processes. The attenuation mechanism of the CPW and inductor is analyzed.
26、本文分析了SOI脊波导的单模条件，结合SOI波导模型提出了内嵌圆式正八边形谐振腔的回音壁模式滤波器。
28、南方涛动指数（SOI）的波动在过去两个星期仍然为高正值。
30、在部分耗尽型SOI结构中，SOI中顶层硅层的厚度为50-90nm，因此沟道下方的硅层中仅有部分被耗尽层占据，由此可导致电荷在耗尽层以下的电中*区域中累积，造成所谓的浮体效应。
32、绝缘体上的硅（SOI）材料是制作平面光波导器件的一种主要材料，具有良好的光学、电学和机械特*。
34、同时，论文也对基于SOI材料的集成波导转弯微镜的结构及损耗、偏振特*作了总结。
36、为了提高电容式触觉传感阵列的*能，本工作以SOI材料中异质结界面作为深槽腐蚀中腐蚀自停止界面，以提高硅膜片的表面平整度和厚度均匀*。
38、介绍了RFSOICMOS技术的特点。着重论述了RF SOI CMOS技术的低串扰特*、低损耗特*及其优质无源元件的*能。
40、模拟和测量的结果*DSOI器件与SO I器件相比，具有衬底热阻较低的优点，因而DSOI器件在保持SOI器件电学特*优势的同时消除了SO I器件严重的自热效应。
3、SOI-based Cell Electrofusion Chip
7、Investigation into Low Insertion-Loss & High Isolation SOI RF Switch
11、Fundamental Research of SOI Optical Waveguide and Optical Splitter;
15、为了获得SOI - LDMOS器件耐压和比导通电阻的良好折衷，提出了一种漂移区槽氧soi - LDMOS高压器件新结构。
19、The characteristics and processing methods of ELO (Epitaxial Lateral Overgrowth), one of SOI technologies, have been described.
23、用硅绝缘器(SOI)制造处理器是另一码事，它们尚未批量生产。
27、SOI衬底顶层硅呈现高阻状态，合适温度的退火可以明显降低SOI衬底顶层硅电阻率，也可部分减少外延高阻过渡层厚度。
31、也许芯片厂商还在为将FD-SOI技术应用到移动领域的有关设计问题感到担忧。
35、报道了用氦离子注入智能剥离形成SOI结构硅片的新技术，介绍了这种技术的工艺和用剖面透*电镜研究的结果。
39、与传统体硅技术相比，SOI技术具有高速、低功耗、高集成度、良好的隔离、寄生效应小以及可靠*高等优点。
5、SOI Compliant Substrate for GaN Epitaxial Growth;
13、The thick SOI films were prepared by SIMOX technology and Si epitaxy process.
21、然而，SOA整合中心不同于面向服务的整合(service - orientedintegration,SOI)。
29、Silicon-on-Insulator (SOI), boasting good optical, electronic and mechanical properties, is one of the common materials of Integrated Planar-Lightwave-Circuits (PLCs).
37、工艺和*能模拟分析表明，此结构具有SOI器件低泄漏电流和低输出电容的特*，而且能抑制自加热效应和浮体效应。
9、SIMOX is one of the most promising SOI technologies.
25、传感器的结构建立在SOI材料上，在关键工艺中采用硅熔融键合技术。
1、SOI Novel Structure Fabrication and Investigation of Suspended Type Thin Film Resonator Based on SOI;
33、为了解决SOI材料的抗辐照总剂量问题，我们提出使用氮氧共注入形成的多埋层SOIM新结构。
17、An 8×8 Rearrangeable Nonblocking SOI Thermo-optic Waveguide Switch Matrix
