“氧化层”可以造什么句，氧化层造句

将半导体氧化层与金属氧化物层转化成一第一介电层。

而且，浇注系统设计了从流层中隔离氧化层。

磁体表面防氧化层可采用镀白锌、五*锌、镀镍、*化、或环氧树脂喷涂。

氧化层给金属高温加热生成的片状氧化物，如铁上

发现表面氧化对铁损没有明显影响，内氧化层对铁损影响最大。

分两步提取了HfOk栅介质等效氧化层厚度。

他们应当去掉场极板和氧化层，并在整个区域淀积一层薄的铝薄膜。

由于表面氧化层的存在和内部冶金结合的形成，重熔层硬度较喷涂层高。

磁电雷管连接前应用砂布擦掉脚线线芯部分的氧化层。

而极薄的氧化层也将防碍金属表面上焊锡的润湿作用。

当氧化层极薄，光是触摸微电子晶片就可能在闸极上产生针孔。

分析表明，从多个子列的氧化层电容漏电合格率的曲线可以求出氧化层完整*的表征因子E 值（每个缺陷包含的单元数）。

植体表面氧化层厚度与孔径大小对于细胞初始的攀附行为、增殖及分化有密切的关系。

采用化学氧化层、底漆、密封胶三层防腐蚀修复工艺，原位修复飞机导*发*梁表面腐蚀，试验了修复层的防腐蚀*能。

根据炉内状况适当降低饱和温度借此提高氧化层温度，但不允许长时期超过规定范围。

屋顶和防水板采用焊接铜——另一种材料，像木覆面一样，它会随着时间推移形成氧化层。

建立能量平衡方程、钢坯导热微分方程、氧化层生成线*和抛物线增长的组合方程。

首先应对喷涂部分用汽油、**进行除油处理，用锉*、细砂纸、油石将疲劳层和氧化层除掉，使其露出金属本*。

本发明涉及用于施加在金属固体或熔融表面上且减少该表面上的氧化层的助熔剂，该助熔剂至少由*化钾和一定比例的水构成。

氧化铜形式的外部氧化层以外的氧化铝层丰富.

所述氧化层的部分被移除，以使所述沟槽填充的氧化层作为第一多晶硅层基本平面化。

对于无沟氧化层，阳极等离子体氧化技术也取得了令人鼓舞的结果。

阳极电镀的工序就是在表面进一步附着氧化层。

氮化扩散层和氧化层：可以提高模具耐溶损*、耐过烧*、耐粘着*和耐热裂*。

适用于已褪*和出现氧化层的漆面，也使用于补漆后的抛光处理。

为了在半导体中选定的区域内扩散或沉积，在半导体圆片蚀刻氧化层或隔离层形成的孔。

阳极氧化法:是把金属，通常是铝，的表面经电解而造成氧化层的方法。这方法把铝片当做阳极，另一种金属或碳当做*极，

模拟结果显示：越细长的沟道，器件的短沟效应越弱，器件的亚阈值斜率随栅氧化层增厚而加大。

首先应对喷涂部分用汽油**进行除油处理，用锉*细砂纸油石将疲劳层和氧化层除掉，使其露出金属本*

铝表面的氧化层是一种电的绝缘体。

这两个栅和场氧化层都是通过热氧化过程生长出来的，因为只有热氧化才可以提供具有低陷阱密度*能最好的氧化层。

经时绝缘击穿（TDDB）是评价薄栅氧化层质量的重要方法。

此外，两种不同表面状态下的化学成分以及氧化层都通过二次离子质谱测定法进行了分析。

采用化学氧化层底漆密封胶三层防腐修复工艺，原位修复飞机铝合金结构件表面腐蚀。试验了修复层的防腐蚀*能。该工艺防腐蚀效果好，施工简单，成本低，有较强的实用*。

磁体表面防氧化层可采用镀白锌五*锌镀镍*化或环氧树脂喷涂

在集成电路绝缘氧化层ESD介质击穿物理模型的基础上，讨论了绝缘氧化层加上一次线*电场条件下发生介质击穿的机理。

这种变异无法避免而且在深亚微米领域，受限于光刻分辨率；氧化层腐蚀造成厚度的改变，因化学机械抛光铜金属线使铜金属层所造成的不平坦碟型缺陷等种种因素变得更加严重。

其次，本文分别研究了FN隧穿应力和热空穴（HH）应力导致的超薄栅氧化层漏电流瞬态特*。

一个相关层是场氧化层，使其与其它器件结构分离