“薄膜生长”可以造什么句，薄膜生长造句

2、文章分析了半导体薄膜生长工艺流程的特点。

4、通过反*高能电子衍*原位实时监测薄膜生长，结合原子力显微镜等表征手段，分析了薄膜的表面微观结构，确定了薄膜的生长模式。

6、薄膜生长技术的进展，为压电和铁电薄膜集成固体器件在各个领域的应用开辟了广阔的前景。

8、室温下，UO_2表面的铝薄膜是以岛状方式生长的，生长过程中由于扩散行为的影响，导致确定薄膜生长方式的强度变化曲线发生了畸变。

10、单晶基片的表面光洁度指标是影响后续薄膜生长质量的重要因素。

12、根据测试结果分析了薄膜的生长机制，提出了薄膜生长是分步成核，成核后沿(111)面纵向生长的观点。

14、由于薄膜的生长过程是一个随机过程，所以蒙特卡罗方法便很自然地被应用于计算机*薄膜生长这一过程。

16、利用特殊设计的夹具，在同一真空内完成所有薄膜样品的制备，减少了多次沉积过程对薄膜生长特*的影响。

18、在该模型中，我们考虑了沉积速率、沉积温度以及沉积角度等影响薄膜生长的参数。

20、薄膜生长过程中的结构和形态的研究在很多领域都有实际的应用，特别是在半导体制造领域。

22、本实验中气流量也是影响薄膜生长的重要因素，气流量过大，分子没来得及落到衬底表面就被吹走；

3、本文提出了一个高压条件下的PANI薄膜生长模型。

7、论述薄膜生长过程中影响薄膜附着力的各种因素，针对其相关因素作了具体的理论分析。

11、文章还从实验和理论上分析了影响多晶硅薄膜生长速率的因素。

15、其中原子水平迁移是薄膜热弛豫的主要途径，入*原子的注入和迁移行为相互竞争，决定了薄膜生长的模式和最终结构。

19、因此可以认为，在多晶硅薄膜生长的最初阶段，空间反应过程对低温晶化起重要作用。

1、通过反*高能电子衍*(RHEED)仪原位实时监测薄膜生长，研究薄膜的生长过程。

9、最后对蒙特卡罗方法模拟薄膜生长的研究进行了展望。

17、用分子动力学和薄膜生长的扩散限制聚集模型，薄膜中结瘤微缺陷成核时的分形现象得到了很好的解释。

5、建立了定向薄膜生长的物理模型，提出了碳纳米管的开口生长机制。

21、利用分子动力学模拟方法，从原子尺度上研究了类金刚石（DLC）薄膜生长过程。

13、随着薄膜生长速率的降低，锡膜由金属转变为半导体，呈现出非金属导电特*。