砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：(1)基态Ga...
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问题详情：
砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
(1) 基态Ga原子的核外电子排布式为[Ar] ▲ 。
(2) 根据元素周期律，元素的电负*Ga ▲ (填“大于”或“小于”，下同)As，第一电离能B ▲ Ga；BF3和NH3的分子能够通过配位键相结合的原因是 ▲ 。
(3) 杀虫剂Na3AsO4中*离子的空间构型为 ▲ ，As原子采取 ▲ 杂化。
(4) GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77.9℃，其原因是 ▲ 。
(5) 原子晶体GaAs的晶胞参数a＝x pm，
它的晶胞结构如右图所示。该晶胞内部存在的
共价键数为 ▲ ；该晶体的密度为 ▲
g·cm－3(阿伏加德罗常数的值用NA表示)
【回答】
(1) 3d104s24p1
(2) 小于（1分） 大于（1分）
NH3中的N具有孤对电子，BF3中的B核外具有空轨道
(3) 正四面体 （1分） sp3 （1分）
(4) GaF3是离子晶体，GaCl3是分子晶体，离子晶体GaF3的熔沸点高；
(5) 16 
知识点：物质结构 元素周期律
题型：综合题
